Память

24C04WP, энергонезависимая память, EEPROM, 4 Кбит..

24C08N, энергонезависимая память EEPROM, 8 Кб, 2.7 - 5.5В..

AT24C08C-SSHM-T, энергонезависимая память EEPROM, 8 Кб, 2.7 - 5.5В..

Максимальная тактовая частота (скорость) 1 мгц Интерфейс i2c, 2-wire serial Напряжение питания, В 2.5…5.5 Рабочая температура, °C -40…+85..

AT24C16C-SSHM-T, энергонезависимая память EEPROM, 16 Кб, 2.7 - 5.5В..

AT24C32AN-10SU-2.7, энергонезависимая память EEPROM, 32 Кб, 2.7 - 5.5В..

Максимальная тактовая частота (скорость) 1 мгц Интерфейс i2c, 2-wire serial Напряжение питания, В 2.5…5.5 Рабочая температура, °C -40…+85..

AT24C64D-SSHM-T-10SU-2.7, энергонезависимая память EEPROM, 64 Кб, 2.7 - 5.5В..

Максимальная тактовая частота (скорость) 400 кГц Интерфейс i2c, 2-wire serial Напряжение питания, В 2.5…5.5 Рабочая температура, °C -40…+85..

EN25Q32B-104HIP, флэш память, Объем памяти 32 мбит (4m x 8) Максимальная тактовая частота (скорость) 104 мгц Интерфейс - spi serial Напряжение питания 2.7…3.6 в Рабочая температура -40…+85 гр.c Корпус soic-8 (0.209, 5.30мм)..

W25Q128BVFG, флэш-память 128 Мбит, интерфейс SPI, 2.7 - 3.6В..

W25Q64JVSIQ, флэш-память, 64 МБит, интерфейс SPI. Тип памяти flash Объем памяти 64 мбит (8m x 8) Максимальная тактовая частота (скорость) 104 мгц Интерфейс spi serial Напряжение питания 2.7…3.6 в Рабочая температура -40…+85 гр.c Корпус soic-8 (0.209, 5.30мм)..

W25Q80BVSNIG , флэш-память 80 Мбит, интерфейс SPI, 2.7 - 3.6В..