КП214А9, (2N7002LT1), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с
бестрансформаторным входом, в рег..
КП501В, (ZVN2120), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала. Предназначены для использования в качестве элемента коммутации электрических цепей в
аппаратуре средств связи..
КП502А, (BSS124), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала. Предназначены для использования в телефонии, источниках вторичного электропитания с
бестрансформаторным входом..
КП504А, (BSS88), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором обогащением,
n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках
вторичного электропитания с б..
КП504В, (BSS88), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором обогащением,
n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках
вторичного электропитания с б..
КП504Г, (BSS88), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором обогащением,
n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках
вторичного электропитания с б..
КП505Б, (BSS295), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом.
Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным
входом, в регуляторах, стаб..
КП505В, (BSS295), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом.
Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным
входом, в регуляторах, стаб..
КП505Г, (BSS295), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом.
Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным
входом, в регуляторах, стаб..
КП507А, (BSS315), кремниевый, эпитаксиально-планарный, P-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
p-канала. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с
бестрансформаторным входом, в регулят..
КП508А, (BSS92), кремниевый, эпитаксиально-планарный, P-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
p-канала. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с
бестрансформаторным входом, в регулято..
КП509А9, (BSS131), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала, встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в
телекоммуникационной и измерительной те..
КП509В9, (BSS131), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала, встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в
телекоммуникационной и измерительной те..
КП511Б, (TN0540), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала. Предназначены для использования в высоковольтных драйверах, быстродействующих
преобразователях напряжения, выс..
КП523А, (BSS297), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала. Предназначены для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной
технике, ограничителях ток..