В корзине пусто!

ИНТЕГРАЛ

Вид: Список / Сетка
На странице:
Сортировка:
КП745А, (IRF530, IRF531), кремниевый, N-канальный, полевой транзистор, 100В 14А
КП745А, (IRF530, IRF531), кремниевый, N-канальный, эпитаксиально-планарный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в..
24.00 руб.
КП745Б, (IRF530, IRF531), кремниевый, N-канальный, полевой транзистор, 80В 14А
КП745Б, (IRF530, IRF531), кремниевый, N-канальный, эпитаксиально-планарный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и обогащением n-канала (КП727В – с встроенным обратносмещенным диодом). Предназначены для использования в источниках вторично..
18.00 руб.
КП746А, (IRF540, IRF541), кремниевый, N-канальный, полевой транзистор, 100В 28А
КП746А, (IRF540, IRF541), кремниевый, N-канальный, эпитаксиально-планарный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в..
76.00 руб.
КП748А1, (IRF610, IRF611), кремниевый, N-канальный, полевой транзистор, 200В 3.3А
КП748А1, (IRF610, IRF611, IRF612), кремниевый, N-канальный, эпитаксиально-планарный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках вторичного..
18.00 руб.
КП748Б, (IRF610, IRF611), кремниевый, N-канальный, полевой транзистор, 150В 3.3А
КП748Б, (IRF610, IRF611, IRF612), кремниевый, N-канальный, эпитаксиально-планарный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и обогащением n-канала (КП727В – с встроенным обратносмещенным диодом). Предназначены для использования в источниках ..
15.00 руб.
КП749А, (IRF620, IRF621), кремниевый, N-канальный, полевой транзистор, 200В 5.2А
КП749А, (IRF620, IRF621, IRF622), кремниевый, N-канальный, эпитаксиально-планарный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным в..
34.00 руб.
КП749А1, (IRF621, IRF622),  кремниевый, N-канальный, полевой транзистор, 200В 5.2А
КП749А1, (IRF621, IRF622, IRL640), кремниевый, N-канальный, эпитаксиально-планарный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным..
36.00 руб.
КП749В, (IRF621, IRF622), кремниевый, N-канальный, полевой транзистор, 200В 4А
КП749В, (IRF621, IRF622, IRL640), кремниевый, N-канальный, эпитаксиально-планарный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и обогащением n-канала (КП727В – с встроенным обратносмещенным диодом). Предназначены для использования в источниках ..
19.00 руб.
КП750А, (IRF640, IRF641),транзистор полевой, N-канальный, 200В 18А
КП750А, (IRF640, IRF641, IRF642), кремниевый, N-канальный, эпитаксиально-планарный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным в..
83.00 руб.
КП750А1, (IRF640, IRF641), транзистор полевой, N-канальный, 200В 18А
КП750А1, (IRF640, IRF641, IRF642), кремниевый, N-канальный, эпитаксиально-планарный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и обогащением n-канала (КП727В – с встроенным обратносмещенным диодом). Предназначены для использования в источниках..
94.00 руб.
КП750Б, (IRF640, IRF641), транзистор полевой, N-канальный, 150В 18А
КП750Б, (IRF640, IRF641, IRF642), кремниевый, N-канальный, эпитаксиально-планарный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и обогащением n-канала (КП727В – с встроенным обратносмещенным диодом). Предназначены для использования в источниках ..
80.00 руб.
КП750В, (IRF640, IRF641), транзистор полевой, N-канальный, 200В 16А
КП750В, (IRF640, IRF641, IRF642), кремниевый, N-канальный, эпитаксиально-планарный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и обогащением n-канала (КП727В – с встроенным обратносмещенным диодом). Предназначены для использования в источниках ..
71.00 руб.
КП750Г, (IRF640, IRF641), транзистор полевой, N-канальный, 200В 18А
КП750Г, (IRF640, IRF641, IRF642), кремниевый, N-канальный, эпитаксиально-планарный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и обогащением n-канала (КП727В – с встроенным обратносмещенным диодом). Предназначены для использования в источниках ..
78.00 руб.
КП771А, (STP40N10), N-канальный, полевой транзистор, 100В 30А
КП771А, (STP40N10), кремниевый, N-канальный, эпитаксиально-планарный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания..
81.00 руб.
КР1179ЕН12А, MC7912( АС/C/B), стабилизатор напряжения, -12В 1.5А
КР1179ЕН12А представляют собой стабилизатор напряжения с фиксированным отрицательным выходным напряжением -12В и выходным током 1.5 А. Имеют защиту от короткого замыкания и перегрева. Корпус типа КТ-28-2, масса не более 2 г..
22.00 руб.
ИНТЕГРАЛ