КТ972Г, (BD875), кремниевый, эпитаксиально-планарный, составной, транзистор NPN
Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона).
Предназначены для использования в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого
применения...
КТ973А9, (BD876), кремниевый, эпитаксиально-планарный, составной, транзистор PNP
Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона).
Предназначены для использования в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого
применения...
КТ973Б, (BD876), кремниевый, эпитаксиально-планарный, составной, транзистор PNP
Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона).
Предназначены для использования в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого
применения...
КТД8303А, кремниевый, эпитаксиально-планарный, составной, транзистор NPN
Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные, составные (Дарлингтона), n-р-n, с интегральными
резисторами и демпферным диодом. Предназначены для использования в ключевых схемах, в
усилителях с большим коэффициентом усиления ..
КТД8303А9, кремниевый, эпитаксиально-планарный, составной, транзистор NPN
Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные, составные (Дарлингтона), n-р-n, с интегральными
резисторами и демпферным диодом. Предназначены для использования в ключевых схемах, в
усилителях с большим коэффициентом усиления..
Стандартные серии ТТЛ: 1533, КР1533. Время задержки 4 нс, мощность потребления 4 мВт/вентиль
8-разрядный драйвер с 3 состояниями и с инверсией
Корпус: 2140.20-8
Импортный аналог: SN74ALS240..