Транзисторы биполярные

КТ8170А1, (MJE13003, MJE13002), транзистор биполярный, NPN..

КТ817А, транзистор биполярный, NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 3 Максимальная рассеиваемая мощност..

КТ817Б, (BD233), транзистор биполярный, NPN..

КТ817В, (BD235), транзистор биполярный, NPN..

КТ817Г, (BD237), транзистор биполярный, NPN..

КТ817Г9, транзистор биполярный, NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 3 Максимальная рассеиваемая мощнос..

КТ818А, транзистор биполярный, PNP Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства..

КТ818Б, транзистор биполярный, PNP Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 3 Максимальная рассеиваемая мощнос..

КТ818В, транзистор биполярный, PNP Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 70 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 3 Максимальная рассеиваемая мощнос..

КТ819Б, транзистор биполярный, NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 3 Максимальная рассеиваемая мощнос..

КТ8225А, (BU941ZP), кремниевый, эпитаксиально-планарный, составной, транзистор NPN Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона) с интегральными демпфирующим (в цепи коллектор-эмиттер) и ограничительным (в цепи коллектор- база) диодами. Предназначены д..

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Основные техниче..

КТ8261А, (BUL44D2), кремниевый, эпитаксиально-планарный, биполярный, транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы со встроенным обратно смещенным диодом между эмиттером и коллектором. Предназначены для применения в преобразователях напряжения, пускорегулирующих устройствах о..

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ = 100 Ом), В UКЭ max 160 Максимально допустимое постоянное напряжение база-эмиттер, В UЭБ mах 5 Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А IК mах 10 Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А IК, и mах 12 Максималь..

КТ837А, транзистор биполярный, PNP Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 80 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 60 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 7,5 А Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность колле..