Транзисторы полевые

КП214А9, (2N7002LT1), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в рег..

КП501В, (ZVN2120), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала. Предназначены для использования в качестве элемента коммутации электрических цепей в аппаратуре средств связи..

КП502А, (BSS124), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала. Предназначены для использования в телефонии, источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом..

КП504А, (BSS88), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором обогащением, n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с б..

КП504В, (BSS88), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором обогащением, n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с б..

КП504Г, (BSS88), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором обогащением, n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с б..

КП505Б, (BSS295), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стаб..

КП505В, (BSS295), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стаб..

КП505Г, (BSS295), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стаб..

КП507А, (BSS315), кремниевый, эпитаксиально-планарный, P-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением p-канала. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регулят..

КП508А, (BSS92), кремниевый, эпитаксиально-планарный, P-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением p-канала. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регулято..

КП509А9, (BSS131), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала, встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в телекоммуникационной и измерительной те..

КП509В9, (BSS131), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала, встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в телекоммуникационной и измерительной те..

КП511Б, (TN0540), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала. Предназначены для использования в высоковольтных драйверах, быстродействующих преобразователях напряжения, выс..

КП523А, (BSS297), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала. Предназначены для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях ток..