Транзисторы полевые
КП214А9, (2N7002LT1), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор, ИНТЕГРАЛ
КП214А9, (2N7002LT1), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с
бестрансформаторным входом, в рег..
Цена
1 - 8.30 руб.10 - 7.89 руб.
50 - 7.06 руб.
100 - 6.23 руб.
Наличие: 0, Предзаказ
КП502А, (BSS124), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала. Предназначены для использования в телефонии, источниках вторичного электропитания с
бестрансформаторным входом..
Цена
1 - 9.50 руб.10 - 9.03 руб.
50 - 8.08 руб.
100 - 7.13 руб.
Наличие: 92
КП504А, (BSS88), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором обогащением,
n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках
вторичного электропитания с б..
Цена
1 - 8.70 руб.10 - 8.27 руб.
50 - 7.40 руб.
100 - 6.53 руб.
Наличие: 65
КП504В, (BSS88), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором обогащением,
n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках
вторичного электропитания с б..
Цена
1 - 4.50 руб.10 - 4.28 руб.
50 - 3.83 руб.
100 - 3.38 руб.
Наличие: 35
КП504Г, (BSS88), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором обогащением,
n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках
вторичного электропитания с б..
Цена
1 - 6.60 руб.10 - 6.27 руб.
50 - 5.61 руб.
100 - 4.95 руб.
Наличие: 66
КП505В, (BSS295), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом.
Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным
входом, в регуляторах, стаб..
Цена
1 - 9.90 руб.10 - 9.41 руб.
50 - 8.42 руб.
100 - 7.43 руб.
Наличие: 35
КП505Г, (BSS295), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом.
Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным
входом, в регуляторах, стаб..
Цена
1 - 7.20 руб.10 - 6.84 руб.
50 - 6.12 руб.
100 - 5.40 руб.
Наличие: 85
КП508А, (BSS92), кремниевый, эпитаксиально-планарный, P-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
p-канала. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с
бестрансформаторным входом, в регулято..
Цена
1 - 11.00 руб.10 - 10.45 руб.
50 - 9.35 руб.
100 - 8.25 руб.
Наличие: 75
КП509А9, (BSS131), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала, встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в
телекоммуникационной и измерительной те..
Цена
1 - 9.60 руб.10 - 9.12 руб.
50 - 8.16 руб.
100 - 7.20 руб.
Наличие: 95
КП509В9, (BSS131), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала, встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в
телекоммуникационной и измерительной те..
Цена
1 - 9.00 руб.10 - 8.55 руб.
50 - 7.65 руб.
100 - 6.75 руб.
Наличие: 98
КП511Б, (TN0540), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала. Предназначены для использования в высоковольтных драйверах, быстродействующих
преобразователях напряжения, выс..
Цена
1 - 11.00 руб.10 - 10.45 руб.
50 - 9.35 руб.
100 - 8.25 руб.
Наличие: 90
КП523А, (BSS297), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала. Предназначены для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной
технике, ограничителях ток..
Цена
1 - 11.00 руб.10 - 10.45 руб.
50 - 9.35 руб.
100 - 8.25 руб.
Наличие: 100
КП723АМ, (IRFZ44), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках
вторичного электропитания, ..
Цена
1 - 50.00 руб.10 - 47.50 руб.
50 - 42.50 руб.
100 - 37.50 руб.
Наличие: 64
КП723Б, (IRFZ44E), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках
вторичного электропитания, ..
Цена
1 - 39.00 руб.10 - 37.05 руб.
50 - 33.15 руб.
100 - 29.25 руб.
Наличие: 76
КП723В, (IRFZ45), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках
вторичного электропитания, в..
Цена
1 - 39.00 руб.10 - 37.05 руб.
50 - 33.15 руб.
100 - 29.25 руб.
Наличие: 97