КТ8159В, (BDV64A-C), кремниевый, эпитаксиально-планарный, составной, транзистор PNP, -12А, 100В
Производитель: ИНТЕГРАЛ
Наличие: 89 шт.
Datasheet КТ8159В, (BDV64A-C), кремниевый, эпитаксиально-планарный, состав (245.5KB)
Наличие: 89 шт.
Datasheet КТ8159В, (BDV64A-C), кремниевый, эпитаксиально-планарный, состав (245.5KB)
Цена:
от 1шт - 140.00 руб.
от 1шт - 140.00 руб.
от 10шт - 133.00 руб.
от 50шт - 119.00 руб.
от 100шт - 105.00 руб.
от 50шт - 119.00 руб.
от 100шт - 105.00 руб.
Количество:
- или -
в закладки
КТ8159В, (BDV64A-C), кремниевый, эпитаксиально-планарный, составной, транзистор PNP
Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона).
Предназначены для использования в преобразователях напряжения, а также в блоках и узлах
радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона).
Предназначены для использования в преобразователях напряжения, а также в блоках и узлах
радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.