КП214А9, (2N7002LT1), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с
бестрансформаторным входом, в рег..
Цена
1 - 8.30 руб. 10 - 7.89 руб.
50 - 7.06 руб.
100 - 6.23 руб.
КП502А, (BSS124), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала. Предназначены для использования в телефонии, источниках вторичного электропитания с
бестрансформаторным входом..
Цена
1 - 12.00 руб. 10 - 11.40 руб.
50 - 10.20 руб.
100 - 9.00 руб.
КП504А, (BSS88), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором обогащением,
n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках
вторичного электропитания с б..
Цена
1 - 11.00 руб. 10 - 10.45 руб.
50 - 9.35 руб.
100 - 8.25 руб.
КП504В, (BSS88), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором обогащением,
n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках
вторичного электропитания с б..
Цена
1 - 5.60 руб. 10 - 5.32 руб.
50 - 4.76 руб.
100 - 4.20 руб.
КП504Г, (BSS88), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором обогащением,
n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках
вторичного электропитания с б..
Цена
1 - 8.30 руб. 10 - 7.89 руб.
50 - 7.06 руб.
100 - 6.23 руб.
КП505В, (BSS295), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом.
Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным
входом, в регуляторах, стаб..
Цена
1 - 12.00 руб. 10 - 11.40 руб.
50 - 10.20 руб.
100 - 9.00 руб.
КП505Г, (BSS295), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом.
Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным
входом, в регуляторах, стаб..
Цена
1 - 9.00 руб. 10 - 8.55 руб.
50 - 7.65 руб.
100 - 6.75 руб.
КП508А, (BSS92), кремниевый, эпитаксиально-планарный, P-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
p-канала. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с
бестрансформаторным входом, в регулято..
Цена
1 - 14.00 руб. 10 - 13.30 руб.
50 - 11.90 руб.
100 - 10.50 руб.
КП509А9, (BSS131), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала, встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в
телекоммуникационной и измерительной те..
Цена
1 - 12.00 руб. 10 - 11.40 руб.
50 - 10.20 руб.
100 - 9.00 руб.
КП509В9, (BSS131), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала, встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в
телекоммуникационной и измерительной те..
Цена
1 - 11.00 руб. 10 - 10.45 руб.
50 - 9.35 руб.
100 - 8.25 руб.
КП511Б, (TN0540), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала. Предназначены для использования в высоковольтных драйверах, быстродействующих
преобразователях напряжения, выс..
Цена
1 - 14.00 руб. 10 - 13.30 руб.
50 - 11.90 руб.
100 - 10.50 руб.
КП523А, (BSS297), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала. Предназначены для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной
технике, ограничителях ток..
Цена
1 - 14.00 руб. 10 - 13.30 руб.
50 - 11.90 руб.
100 - 10.50 руб.
КП723АМ, (IRFZ44), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках
вторичного электропитания, ..
Цена
1 - 63.00 руб. 10 - 59.85 руб.
50 - 53.55 руб.
100 - 47.25 руб.
КП723Б, (IRFZ44E), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках
вторичного электропитания, ..
Цена
1 - 49.00 руб. 10 - 46.55 руб.
50 - 41.65 руб.
100 - 36.75 руб.
КП723В, (IRFZ45), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках
вторичного электропитания, в..
Цена
1 - 49.00 руб. 10 - 46.55 руб.
50 - 41.65 руб.
100 - 36.75 руб.