АОД101А, Оптопары диодные.
Образованы излучающим диодом на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевым фотодиодом.
Предназначены для гальванической развязки электрических цепей между которыми осуществляется информационная связь. Выпускаются в металлическом корпусе.
Масса прибора не ..
АОД101Б, Оптопары диодные.
Образованы излучающим диодом на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевым фотодиодом.
Предназначены для гальванической развязки электрических цепей между которыми осуществляется информационная связь. Выпускаются в металлическом корпусе.
Масса прибора не ..
АОД101Г, Оптопары диодные.
Образованы излучающим диодом на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевым фотодиодом.
Предназначены для гальванической развязки электрических цепей между которыми осуществляется информационная связь. Выпускаются в металлическом корпусе.
Масса прибора не ..
АОД101Д, Оптопары диодные.
Образованы излучающим диодом на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевым фотодиодом.
Предназначены для гальванической развязки электрических цепей между которыми осуществляется информационная связь. Выпускаются в металлическом корпусе.
Масса прибора не ..
АОД111А, Оптрон диодный с одним арсенид-галлиевым излучателем и двумя кремниевыми фотоприемниками. Изготавливается в металлокерамическом корпусе с оптическим окном. Используется в качестве датчика положения близких к нему предметов, отражающих излучение диода. Применяются в качестве датчика пульса в..
АОД129А, Оптопара диодная.
Излучатель - диод на основе твердого раствора галлий-алюминий-мышьяк, приемник - кремниевый эпитаксиальный p-i-n фотодиод.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе.
Масса не более 1,9 г...
АОД130А, Оптопары диодные.
Образованы излучающим диодом на основе соединения мышьяк-галлий-алюминий и кремниевым фотодиодом.
Предназначены для гальванической развязки электрических цепей, между которыми осуществляется передача информации. Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не б..
АОТ123В, Оптопары транзисторные состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого фототранзистора.
Предназначены для применения в ключевом режиме. Между выводами 3 и 5 должен быть подключен резистор сопротивлением 100 кОм.
Выпускаются в металлостеклянном кор..