Россия

КД289В, диод кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки..

КД289Г, диод кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки..

КД289Д, диод кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки..

КД289Е, диод кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки..

КД290Г, диод кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки..

КД407А, диод, кремниевый, эпитаксиально-планарный Предназначен для применения в качестве высокочастотных детекторов. Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединення электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 0,3 г. Основные технические ..

КД409А, диод кремниевый, эпитаксиальный Предназначен для использования в селекторах телевизионных каналов и высокочастотных детекторах. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируется желтой точкой на корпусе. Масса диода не более 0,16 г. Основные технические характеристик..

КД410АМ, диод кремниевый, диффузионный, универсальный Предназначены для применения в блоках строчной развертки телевизионной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и положительный вывод маркируются точкой на корпусе: КД410АМ — красной, КД410ВМ — ..

КД411АМ, диод кремниевый, диффузионный, быстродействующий Предназначены для применения в телевизионных приемниках цветного изображения на частотах до 30 кГц. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа и схема соединений электродов с выводами приводятся на корпу..

КД411БМ, диод кремниевый, диффузионный, быстродействующий Предназначены для применения в телевизионных приемниках цветного изображения на частотах до 30 кГц. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа и схема соединений электродов с выводами приводятся на корпу..

КД411ВМ, диод кремниевый, диффузионный, быстродействующий Максимальное импульсное обратное напряжение, В 700 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 2 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 100 Максимальное прямое напряжение,В 1.4 при Iпр.,А 1 Рабочая температура,С -45…70 Корпу..

КД411ГМ, диод кремниевый, диффузионный, быстродействующий Максимальное импульсное обратное напряжение, В 700 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 2 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 100 Максимальное прямое напряжение,В 1.4 при Iпр.,А 1 Рабочая температура,С -45…70 Корпу..

КД413А, диод кремниевый, эпитаксиальный, со структурой типа p-i-n Предназначены для применения в качестве высокочастотных резистивных элементов. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цветным кодом у положительного вывода: 2Д413А — одной зеленой точкой; 2Д413Б — зе..

КД413Б, диод кремниевый, эпитаксиальный, со структурой типа p-i-n Предназначены для применения в качестве высокочастотных резистивных элементов. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цветным кодом у положительного вывода: 2Д413А — одной зеленой точкой; 2Д413Б — зе..

КД417А, диод кремниевый, эпитаксиальный Предназначены для применения в качестве высокочастотных резистивных элементов. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода обозначается белой точкой со стороны положительного вывода. Масса диода не более 0,035 г. Основные технические ..