2У201Л, тиристоры кремниевые, планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые.
Предназначены для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации больших напряжений малыми управляющими сигналами. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип ..
2У202Д, тиристоры кремниевые, планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые.
Предназначены для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип тирист..
2У202Е, тиристоры кремниевые, планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые.
Предназначены для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип тирист..
3А117А-6, диод кремниевый, планарно-эпитаксиальный, с барьером Шоттки, смесительный
Предназначены для применения в преобразователях частоты дециметрового диапазона длин волн в составе гибридных интегральных микросхем и микросборок, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги,..
3И306Е, диод, арсенидогаллиевый, туннельный, переключательный
Предназначен для применения в переключающих устройствах. Выпускается в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами. Тип диода приводится на этикетке.
Маркируются условными обозначениями на крышке:
3И306Г – ПГ, 3И306Е – ПЕ, 3И306Ж –..
3И306К, диод, арсенидогаллиевый, туннельный, переключательный
Предназначен для применения в переключающих устройствах. Выпускается в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами. Тип диода приводится на этикетке.
Маркируются условными обозначениями на крышке:
3И306Г – ПГ, 3И306Е – ПЕ, 3И306Ж –..
3ОД101А, Оптопары диодные.
Образованы излучающим диодом на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевым фотодиодом.
Предназначены для гальванической развязки электрических цепей между которыми осуществляется информационная связь. Выпускаются в металлическом корпусе.
Масса прибора не ..
3ОД101Б, Оптопары диодные.
Образованы излучающим диодом на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевым фотодиодом.
Предназначены для гальванической развязки электрических цепей между которыми осуществляется информационная связь. Выпускаются в металлическом корпусе.
Масса прибора не ..
3ОД101В, Оптопары диодные.
Образованы излучающим диодом на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевым фотодиодом.
Предназначены для гальванической развязки электрических цепей между которыми осуществляется информационная связь. Выпускаются в металлическом корпусе.
Масса прибора не ..
3ОД101Г, Оптопары диодные.
Образованы излучающим диодом на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевым фотодиодом.
Предназначены для гальванической развязки электрических цепей между которыми осуществляется информационная связь. Выпускаются в металлическом корпусе.
Масса прибора не ..
3ОД120А-1, Оптопары 3ОД120А-1 диодные бескорпусные, состоящие из излучающего диода из арсенид-галлий-алюминия и кремниевого диодного фотоприемника.
Предназначены для гальванической развязки элементов в составе гибридных оптоэлектронных микросхем.
Масса прибора не более 0,02 г..
3ОД129Б,
Излучатель - диод на основе твердого раствора галлий-алюминий-мышьяк, приемник - кремниевый эпитаксиальный p-i-n фотодиод.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе.
Масса не более 1,9 г...