ИНТЕГРАЛ

КП511Б, (TN0540), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала. Предназначены для использования в высоковольтных драйверах, быстродействующих преобразователях напряжения, выс..

КП523А, (BSS297), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала. Предназначены для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях ток..

КП723АМ, (IRFZ44), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания, ..

КП723Б, (IRFZ44E), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания, ..

КП723В, (IRFZ45), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания, в..

КП723Г, (IRFZ40), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания, в..

КП727А, (BUZ 71, IRFZ 34, IRLZ34), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и обогащением n-канала (КП727В – с встроенным обратносмещенным диодом). Предназначены для использования в источниках..

КП727Б, (BUZ 71, IRFZ 34, IRLZ34), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и обогащением n-канала (КП727В – с встроенным обратносмещенным диодом). Предназначены для использования в источниках..

КП727В, (BUZ 71, IRFZ 34, IRLZ34), кремниевый N-канальный, эпитаксиально-планарный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и обогащением n-канала (КП727В – с встроенным обратносмещенным диодом). Предназначены для использования в источниках ..

КП737А, (BUZ 71, IRFZ 34, IRLZ34), кремниевый N-канальный, эпитаксиально-планарный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и обогащением n-канала (КП727В – с встроенным обратносмещенным диодом). Предназначены для использования в источниках ..

КП740А, (IRFZ24, IRFZ20, IRFZ25), кремниевый, N-канальный, эпитаксиально-планарный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках вторичного э..

КП743А1, (IRF510, IRF511, IRF512), кремниевый, N-канальный, эпитаксиально-планарный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках вторичного ..

КП743Б1, кремниевый, N-канальный, эпитаксиально-планарный, полевой транзистор..

КП743Б9, (IRF510, IRF511, IRF512), кремниевый, N-канальный, эпитаксиально-планарный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и обогащением n-канала (КП727В – с встроенным обратносмещенным диодом). Предназначены для использования в источниках..

КП744А, (IRF520, IRF521), кремниевый, N-канальный, эпитаксиально-планарный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках вторичного электропи..