ИНТЕГРАЛ

КР1180ЕН24А представляют собой стабилизатор напряжения с фиксированным положительным выходным напряжением 24В и выходным током 1.5 А. Имеют защиту от короткого замыкания и перегрева. Корпус типа КТ-28-2, масса не более 2 г..

RS-232 два пpиемника и два пеpедатчика (2Dx/2Rx)..

КР1181ЕН9А представляют собой стабилизатор напряжения с фиксированным положительным выходным напряжением 9В и выходным током 0.1 А. Имеют защиту от короткого замыкания и перегрева. Корпус типа КТ-28-2, масса не более 2 г..

4 компаратора в корпусе DIP-14, аналог LM339N, однополярное питание от 2В диапазон входных напряжений от 0В выход - открытый коллектор Минимальное напряжение питания 2 В Максимальное напряжение питания 30 В Потребляемый ток 2 мА Напряжение смещения 5 мВ Входной ток смещения (offs..

КД629АС-9, Кремниевые импульсные эпитаксиально-планарные наборы двух последовательно соединенных диодов. КД629АС-9 предназначены для применения в качестве элементов в гибридных микросхемах. Обозначение технических условий: аАО.336.601 ТУ/02. Корпусное исполнение: пластмассовый корпус КТ-46А (SOT..

КП214А9, (2N7002LT1), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в рег..

КП502А, (BSS124), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала. Предназначены для использования в телефонии, источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом..

КП504А, (BSS88), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором обогащением, n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с б..

КП504В, (BSS88), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором обогащением, n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с б..

КП504Г, (BSS88), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором обогащением, n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с б..

КП505В, (BSS295), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стаб..

КП505Г, (BSS295), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стаб..

КП508А, (BSS92), кремниевый, эпитаксиально-планарный, P-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением p-канала. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регулято..

КП509А9, (BSS131), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала, встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в телекоммуникационной и измерительной те..

КП509В9, (BSS131), кремниевый, эпитаксиально-планарный, N-канальный, полевой транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала, встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в телекоммуникационной и измерительной те..