ИНТЕГРАЛ

КТ660Б, (BC338), транзистор биполярный, NPN, 30В 800мА..

КТ732А, (MJE4343), транзистор биполярный, NPN, 160В 16А..

КТ738А, (ТIP3055), транзистор биполярный, NPN, 60В 15А..

КТ805ИМ, транзистор биполярный, NPN, 60В 5А..

КТ8115Б, (TIP127), кремниевый, эпитаксиально-планарный, составной, транзистор PNP Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона). Предназначены для использования в преобразователях напряжения, а также в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широког..

КТ8115В, (TIP125), кремниевый, эпитаксиально-планарный, составной, транзистор PNP Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона). Предназначены для использования в преобразователях напряжения, а также в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широког..

КТ8126А1, (ТMJE13007), транзистор биполярный, NPN, 700В 8А..

КТ814А, транзистор биполярный, PNP Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 3 Максимальная рассеиваемая мощно..

КТ814Б, (BD136), транзистор биполярный, PNP..

КТ814В, (BD138), транзистор биполярный, PNP..

КТ814Г, (BD140), транзистор биполярный, PNP..

КТ814Г9, транзистор биполярный, PNP Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 50 Максимальная рассеиваемая мо..

КТ8158А, (BDV65A-C), кремниевый, эпитаксиально-планарный, составной, транзистор NPN Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона). Предназначены для использования в преобразователях напряжения, а также в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широк..

КТ8158В, (BDV65A-C), кремниевый, эпитаксиально-планарный, составной, транзистор NPN Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона). Предназначены для использования в преобразователях напряжения, а также в блоках и узлах радиоэлектронной аппарат..

КТ8159А, (BDV64A-C), кремниевый, эпитаксиально-планарный, составной, транзистор PNP Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона). Предназначены для использования в преобразователях напряжения, а также в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широк..