КТ8159В, (BDV64A-C), кремниевый, эпитаксиально-планарный, составной, транзистор PNP
Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона).
Предназначены для использования в преобразователях напряжения, а также в блоках и узлах
радиоэлектронной аппаратуры широк..
КТ815Г9, транзистор биполярный, NPN
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в
ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Корпус D-PAK..
КТ816А, транзистор биполярный, PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 3
Максимальная рассеиваемая мощност..
КТ816Г9, транзистор биполярный, PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 3
Максимальная рассеиваемая мощно..
КТ817А, транзистор биполярный, NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 3
Максимальная рассеиваемая мощност..