КТ837Т, транзистор биполярный, PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 7.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 0.9
Максимальная рассеиваемая мощ..
КТ837У, транзистор биполярный, PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 7.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 0.5
Максимальная рассеиваемая мощ..
КТ837Ф, транзистор биполярный, PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 7.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 0.5
Максимальная рассеиваемая мощ..
КТ837Х, транзистор биполярный, PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 7.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 0.5
Максимальная рассеиваемая мощ..
Напpяжение коллектоp-эмиттеp: Uкэо max В
КТ872А, Б, Г, А1, Г1 700
КТ872В 600
Напряжение коллектор-эмиттеp (импульсное):
Uбэ ≤0В, Q ≥4, tu ≤20 мкс
Uкэ и max В
КТ872А, Б, Г, А1, Г1 1500
КТ872В 1200
Напряжение эмиттер-база Uэб max В 6
Постоянный ток коллектора Iк max А 8
Импульсный ток коллектора Iки m..
Напpяжение коллектоp-эмиттеp: Uкэо max В
КТ872А, Б, Г, А1, Г1 700
КТ872В 600
Напряжение коллектор-эмиттеp (импульсное):
Uбэ ≤0В, Q ≥4, tu ≤20 мкс
Uкэ и max В
КТ872А, Б, Г, А1, Г1 1500
КТ872В 1200
Напряжение эмиттер-база Uэб max В 6
Постоянный ток коллектора Iк max А 8
Импульсный ток коллектора Iки m..
КТ961А, транзистор биполярный, NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 50
Максимальная рассеиваемая мо..
КТ961В, транзистор биполярный, NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 50
Максимальная рассеиваемая мощ..
КТ972А, (BD875), кремниевый, эпитаксиально-планарный, составной, транзистор NPN
Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона).
Предназначены для использования в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого
применения...
КТ972А9, (BD875), кремниевый, эпитаксиально-планарный, составной, транзистор NPN
Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона).
Предназначены для использования в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого
применения...
КТ972Б, (BD875), кремниевый, эпитаксиально-планарный, составной, транзистор NPN
Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона).
Предназначены для использования в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого
применения...